1, Photovoltaic end demand: Ang panginahanglan alang sa photovoltaic nga na-install nga kapasidad kusog, ug ang panginahanglan alang sa polysilicon gibaliktad base sa gi-install nga kapasidad nga forecast
1.1.Pagkonsumo sa polysilicon: Ang globalAng gidaghanon sa konsumo padayon nga nagdugang, labi na alang sa paghimo sa gahum sa photovoltaic
Sa miaging napulo ka tuig, ang globalpolysiliconAng konsumo nagpadayon sa pagtaas, ug ang proporsiyon sa China nagpadayon sa pagpalapad, nga gipangulohan sa industriya sa photovoltaic.Gikan sa 2012 hangtod 2021, ang global nga pagkonsumo sa polysilicon sa kasagaran nagpakita sa usa ka pataas nga uso, nga misaka gikan sa 237,000 tonelada hangtod sa 653,000 tonelada.Sa 2018, ang 531 nga photovoltaic nga bag-ong polisiya sa China gipaila, nga tin-aw nga nagpamenos sa subsidy rate alang sa photovoltaic power generation.Ang bag-ong na-install nga photovoltaic nga kapasidad nahulog sa 18% tuig-sa-tuig, ug ang panginahanglan alang sa polysilicon naapektuhan.Sukad sa 2019, ang estado nagpaila sa daghang mga palisiya aron mapauswag ang grid parity sa photovoltaics.Sa paspas nga pag-uswag sa industriya sa photovoltaic, ang panginahanglan alang sa polysilicon misulod usab sa usa ka panahon sa paspas nga pagtubo.Niini nga panahon, ang proporsiyon sa konsumo sa polysilicon sa China sa kinatibuk-ang global nga konsumo nagpadayon sa pagtaas, gikan sa 61.5% sa 2012 ngadto sa 93.9% sa 2021, nag-una tungod sa paspas nga pagpalambo sa industriya sa photovoltaic sa China.Gikan sa panan-aw sa global nga sumbanan sa pagkonsumo sa lain-laing mga matang sa polysilicon sa 2021, silicon nga mga materyales nga gigamit alang sa photovoltaic mga selula adunay account alang sa labing menos 94%, diin ang solar-grade polysilicon ug granular silicon account alang sa 91% ug 3%, sa tinagsa, samtang electronic-grade polysilicon nga mahimong gamiton alang sa mga chips account alang sa 94%.Ang ratio mao ang 6%, nga nagpakita nga ang karon nga panginahanglan alang sa polysilicon gimandoan sa photovoltaics.Gilauman nga sa pag-init sa dual-carbon nga palisiya, ang panginahanglan alang sa photovoltaic install nga kapasidad mahimong mas lig-on, ug ang konsumo ug proporsyon sa solar-grade polysilicon magpadayon sa pagdugang.
1.2.Silicon wafer: ang monocrystalline silicon wafer nag-okupar sa mainstream, ug ang padayon nga teknolohiya sa Czochralski paspas nga milambo
Ang direkta nga downstream nga link sa polysilicon mao ang mga wafer sa silicon, ug ang China sa pagkakaron nagdominar sa merkado sa silicon wafer sa kalibutan.Gikan sa 2012 hangtod 2021, ang global ug China nga silicon wafer nga kapasidad sa produksiyon ug output nagpadayon sa pagdugang, ug ang industriya sa photovoltaic nagpadayon sa pag-uswag.Ang mga wafer sa silikon nagsilbing tulay nga nagdugtong sa mga materyales ug baterya sa silikon, ug wala’y kabug-at sa kapasidad sa produksiyon, mao nga nagpadayon kini sa pagdani sa daghang mga kompanya nga mosulod sa industriya.Kaniadtong 2021, ang mga tiggama sa silicon wafer sa China labi nga nagkalapadproduksyonkapasidad ngadto sa 213.5GW nga output, nga nagtukmod sa global nga silicon wafer production nga mosaka ngadto sa 215.4GW.Sumala sa naglungtad ug bag-ong nadugangan nga kapasidad sa produksiyon sa China, gilauman nga ang tinuig nga pagtubo nga rate magpadayon sa 15-25% sa sunod nga mga tuig, ug ang produksiyon sa wafer sa China magpadayon gihapon sa usa ka hingpit nga dominanteng posisyon sa kalibutan.
Ang polycrystalline silicon mahimo nga polycrystalline silicon ingots o monocrystalline silicon rods.Ang proseso sa produksiyon sa polycrystalline silicon ingots nag-una naglakip sa casting method ug direct melting method.Sa pagkakaron, ang ikaduha nga tipo mao ang nag-unang pamaagi, ug ang pagkawala sa rate sa batakan gipadayon sa mga 5%.Ang paagi sa paghulma mao ang panguna nga pagtunaw sa materyal nga silikon sa tunawan una, ug dayon ihulog kini sa lain nga preheated crucible alang sa pagpabugnaw.Pinaagi sa pagkontrol sa rate sa pagpabugnaw, ang polycrystalline silicon ingot gisalibay sa teknolohiya sa direksyon nga solidification.Ang proseso sa init nga pagtunaw sa direkta nga pamaagi sa pagtunaw parehas sa pamaagi sa paghulma, diin ang polysilicon direkta nga natunaw sa crucible una, apan ang lakang sa pagpabugnaw lahi sa pamaagi sa paghulma.Bisan kung ang duha nga mga pamaagi parehas kaayo sa kinaiyahan, ang direkta nga pamaagi sa pagtunaw nanginahanglan lamang usa ka tunawan, ug ang produkto nga polysilicon adunay maayo nga kalidad, nga makaayo sa pagtubo sa mga polycrystalline silicon ingots nga adunay mas maayo nga orientasyon, ug ang proseso sa pagtubo dali automate, nga makahimo sa internal nga posisyon sa kristal Error pagkunhod.Sa pagkakaron, ang mga nag-unang negosyo sa solar energy nga materyal nga industriya sa kasagaran naggamit sa direkta nga pamaagi sa pagtunaw sa paghimo sa polycrystalline silicon ingots, ug ang carbon ug oxygen sulod mao ang medyo ubos, nga kontrolado ubos sa 10ppma ug 16ppma.Sa umaabot, ang paghimo sa polycrystalline silicon ingots dominado gihapon sa direkta nga pamaagi sa pagtunaw, ug ang pagkawala sa rate magpabilin sa 5% sa sulod sa lima ka tuig.
Ang paghimo sa mga monocrystalline silicon rods nag-una nga gibase sa Czochralski nga pamaagi, nga gidugangan sa vertical suspension zone melting method, ug ang mga produkto nga gihimo sa duha adunay lain-laing mga gamit.Ang Czochralski nga pamaagi naggamit sa graphite nga pagsukol sa pagpainit sa polycrystalline silicon sa usa ka high-purity nga quartz crucible sa usa ka straight-tube nga thermal system aron matunaw kini, dayon isulod ang liso nga kristal ngadto sa nawong sa matunaw alang sa fusion, ug i-rotate ang binhi nga kristal samtang balit-ad ang tunawan sa tubig., ang kristal nga binhi hinayhinay nga gipataas pataas, ug ang monocrystalline nga silicon makuha pinaagi sa mga proseso sa pagpugas, pagpadako, pagliso sa abaga, patas nga pagtubo sa diametro, ug pagtapos.Ang bertikal nga floating zone nga paagi sa pagtunaw nagtumong sa pag-ayo sa columnar high-purity polycrystalline nga materyal sa hurnohan nga lawak, paglihok sa metal coil hinay-hinay ubay sa polycrystalline nga gitas-on nga direksyon ug moagi sa columnar polycrystalline, ug pagpasa sa usa ka high-power radio frequency kasamtangan sa metal. coil sa paghimo sa Bahin sa sulod sa polycrystalline pillar coil matunaw, ug human sa coil gibalhin, ang matunaw recrystallizes sa pagporma sa usa ka kristal.Tungod sa lainlaing mga proseso sa produksiyon, adunay mga kalainan sa kagamitan sa produksiyon, gasto sa produksiyon ug kalidad sa produkto.Sa pagkakaron, ang mga produkto nga nakuha pinaagi sa zone melting method adunay taas nga kaputli ug mahimong gamiton alang sa paghimo sa mga semiconductor device, samtang ang Czochralski nga pamaagi makatagbo sa mga kondisyon alang sa pagprodyus og single crystal silicon alang sa photovoltaic cells ug adunay mas ubos nga gasto, mao nga kini ang mainstream nga pamaagi.Sa 2021, ang bahin sa merkado sa tul-id nga paagi sa pagbira hapit sa 85%, ug gilauman nga motaas gamay sa sunod nga mga tuig.Ang mga bahin sa merkado sa 2025 ug 2030 gitagna nga 87% ug 90% matag usa.Sa mga termino sa distrito nga pagtunaw sa usa ka kristal nga silikon, ang konsentrasyon sa industriya sa distrito nga pagtunaw sa usa ka kristal nga silikon medyo taas sa kalibutan.pag-angkon), TOPSIL (Denmark) .Sa umaabot, ang output scale sa tinunaw nga single nga kristal nga silikon dili modaghan pag-ayo.Ang hinungdan mao nga ang mga may kalabotan nga teknolohiya sa China medyo atrasado kumpara sa Japan ug Germany, labi na ang kapasidad sa mga kagamitan sa pagpainit sa taas nga frequency ug mga kondisyon sa proseso sa crystallization.Ang teknolohiya sa fused silicon single crystal sa dako nga diametro nga lugar nagkinahanglan sa mga negosyo sa China nga magpadayon sa pagsuhid sa ilang kaugalingon.
Ang pamaagi sa Czochralski mahimong bahinon sa padayon nga teknolohiya sa pagbira sa kristal (CCZ) ug sa gibalikbalik nga teknolohiya sa pagbira sa kristal (RCZ).Sa pagkakaron, ang mainstream nga pamaagi sa industriya mao ang RCZ, nga anaa sa yugto sa transisyon gikan sa RCZ ngadto sa CCZ.Ang usa ka kristal nga pagbira ug mga lakang sa pagpakaon sa RZC independente sa usag usa.Sa dili pa ang matag pagbira, ang usa ka kristal nga ingot kinahanglang pabugnawon ug tangtangon sa ganghaan nga lawak, samtang ang CCZ makaamgo sa pagpakaon ug pagtunaw samtang nagbira.Ang RCZ medyo hamtong, ug adunay gamay nga lugar alang sa pag-uswag sa teknolohiya sa umaabot;samtang ang CCZ adunay mga bentaha sa pagkunhod sa gasto ug pagpauswag sa kahusayan, ug naa sa yugto sa paspas nga pag-uswag.Sa termino sa gasto, kon itandi sa RCZ, nga mokabat sa 8 ka oras sa wala pa ang usa ka sungkod madani, CCZ mahimo pag-ayo sa produksyon efficiency, pagpakunhod crucible gasto ug enerhiya konsumo pinaagi sa pagwagtang niini nga lakang.Ang kinatibuk-ang single furnace output labaw pa sa 20% nga mas taas kaysa sa RCZ.Ang gasto sa produksiyon labaw pa sa 10% nga mas ubos kaysa RCZ.Sa termino sa kahusayan, ang CCZ makompleto ang pagdrowing sa 8-10 ka single nga kristal nga silicon rods sulod sa siklo sa kinabuhi sa crucible (250 ka oras), samtang ang RCZ makompleto lamang sa mga 4, ug ang produksyon nga kahusayan mahimong madugangan sa 100-150% .Sa natad sa kalidad, ang CCZ adunay mas uniporme nga resistivity, ubos nga oxygen content, ug mas hinay nga pagtipon sa mga hugaw sa metal, mao nga kini mas angay alang sa pag-andam sa n-type nga single crystal silicon wafers, nga anaa usab sa usa ka panahon sa paspas nga pag-uswag.Sa pagkakaron, ang pipila ka mga kompanya sa China nagpahibalo nga sila adunay CCZ nga teknolohiya, ug ang ruta sa granular silicon-CCZ-n-type nga monocrystalline silicon wafers klaro kaayo, ug nagsugod pa gani sa paggamit sa 100% granular silicon nga mga materyales..Sa umaabot, ang CCZ batakan nga mopuli sa RCZ, apan magkinahanglan kini og piho nga proseso.
Ang proseso sa produksiyon sa monocrystalline silicon wafers gibahin sa upat ka mga lakang: pagbira, paghiwa, paghiwa, paglimpyo ug paghan-ay.Ang pagtumaw sa diamond wire slicing nga pamaagi nakapakunhod pag-ayo sa slicing loss rate.Ang proseso sa pagbira sa kristal gihulagway sa ibabaw.Ang proseso sa paghiwa naglakip sa truncation, squaring, ug chamfering nga mga operasyon.Ang paghiwa mao ang paggamit sa makina sa paghiwa aron maputol ang kolumnar nga silicon ngadto sa mga manipis nga silicon.Ang paglimpyo ug paghan-ay mao ang katapusang mga lakang sa paghimo sa mga silicon wafers.Ang diamante nga wire slicing nga pamaagi adunay dayag nga mga bentaha sa tradisyonal nga mortar wire slicing nga pamaagi, nga kasagaran makita sa mubo nga panahon nga konsumo ug ubos nga pagkawala.Ang katulin sa diamante nga wire lima ka pilo sa tradisyonal nga pagputol.Pananglitan, alang sa single-wafer cutting, ang tradisyonal nga mortar wire cutting mokabat ug 10 ka oras, ug diamond wire cutting mokabat lang ug 2 ka oras.Ang pagkawala sa pagputol sa diamante nga wire gamay usab, ug ang kadaot nga layer nga gipahinabo sa pagputol sa diamante nga wire mas gamay kaysa sa pagputol sa mortar wire, nga makatabang sa pagputol sa nipis nga mga wafer sa silicon.Sa bag-ohay nga mga tuig, aron makunhuran ang pagputol sa mga pagkawala ug gasto sa produksiyon, ang mga kompanya mibalik sa mga pamaagi sa paghiwa sa diamante nga wire, ug ang diyametro sa mga bar sa diamante nga wire bus nagkagamay.Sa 2021, ang diametro sa diamante nga wire busbar mahimong 43-56 μm, ug ang diametro sa diamante nga wire busbar nga gigamit alang sa monocrystalline silicon wafers mokunhod pag-ayo ug magpadayon sa pagkunhod.Gibanabana nga sa 2025 ug 2030, ang mga diametro sa diamante nga wire busbar nga gigamit sa pagputol sa monocrystalline silicon wafers mahimong 36 μm ug 33 μm, matag usa, ug ang diametro sa diamante wire busbars nga gigamit sa pagputol sa polycrystalline silicon wafers mahimong 51 μm. ug 51 μm, matag usa.Kini tungod kay adunay daghang mga depekto ug mga hugaw sa polycrystalline silicon wafers, ug ang nipis nga mga wire dali nga mabuak.Busa, ang diametro sa diamante wire busbar nga gigamit alang sa polycrystalline silicon wafer cutting mas dako pa kay sa monocrystalline silicon wafers, ug ingon nga ang merkado bahin sa polycrystalline silicon wafers hinay-hinay nga pagkunhod, kini gigamit alang sa polycrystalline silicon Ang pagkunhod sa diametro sa diamante. Ang mga wire busbar nga giputol sa mga hiwa mihinay.
Sa pagkakaron, ang silicon wafers kasagaran gibahin sa duha ka matang: polycrystalline silicon wafers ug monocrystalline silicon wafers.Ang monocrystalline silicon wafers adunay mga bentaha sa taas nga serbisyo sa kinabuhi ug taas nga photoelectric conversion efficiency.Ang polycrystalline silicon wafers gilangkuban sa kristal nga mga lugas nga adunay lain-laing kristal nga orientasyon sa eroplano, samtang ang usa ka kristal nga silicon wafers ginama sa polycrystalline silicon isip hilaw nga materyales ug adunay parehas nga kristal nga orientasyon sa eroplano.Sa hitsura, ang polycrystalline silicon wafers ug single crystal silicon wafers kay blue-black ug black-brown.Tungod kay ang duha giputol gikan sa polycrystalline silicon ingots ug monocrystalline silicon rods, matag usa, ang mga porma mao ang square ug quasi-square.Ang kinabuhi sa serbisyo sa polycrystalline silicon wafers ug monocrystalline silicon wafers mga 20 ka tuig.Kung ang pamaagi sa pagputos ug ang paggamit sa palibot angay, ang kinabuhi sa serbisyo mahimong moabot sa kapin sa 25 ka tuig.Sa kinatibuk-an, ang kinabuhi sa monocrystalline silicon wafers gamay ra kaysa sa polycrystalline silicon wafers.Dugang pa, ang monocrystalline silicon wafers usab gamay nga mas maayo sa photoelectric conversion efficiency, ug ang ilang dislocation density ug metal impurities mas gamay kay sa polycrystalline silicon wafers.Ang hiniusa nga epekto sa lainlaing mga hinungdan naghimo sa minorya nga carrier sa kinabuhi sa usa ka kristal nga daghang beses nga mas taas kaysa sa polycrystalline silicon wafers.Sa ingon gipakita ang bentaha sa pagkaayo sa pagkakabig.Kaniadtong 2021, ang labing kataas nga kahusayan sa pagkakabig sa mga polycrystalline silicon wafers hapit sa 21%, ug ang sa monocrystalline silicon wafers moabot hangtod sa 24.2%.
Dugang pa sa taas nga kinabuhi ug taas nga pagkakabig nga kahusayan, ang monocrystalline silicon wafers usab adunay bentaha sa pagnipis, nga makatabang sa pagpakunhod sa konsumo sa silicon ug mga gasto sa silicon wafer, apan pagtagad sa pagtaas sa fragmentation rate.Ang pagnipis sa mga silicon wafer makatabang sa pagpakunhod sa gasto sa paggama, ug ang karon nga proseso sa paghiwa mahimo nga hingpit nga matubag ang mga panginahanglanon sa pagnipis, apan ang gibag-on sa mga silicon wafer kinahanglan usab nga makatubag sa mga panginahanglanon sa downstream nga cell ug paghimo sa sangkap.Sa kinatibuk-an, ang gibag-on sa silicon wafer mikunhod sa bag-ohay nga mga tuig, ug ang gibag-on sa polycrystalline silicon wafers mas dako kay sa monocrystalline silicon wafers.Ang monocrystalline silicon wafers dugang gibahin ngadto sa n-type nga silicon wafers ug p-type nga silicon wafers, samtang ang n-type nga silicon wafers kasagaran naglakip sa TOPCon Battery usage ug HJT battery usage.Sa 2021, ang kasagaran nga gibag-on sa polycrystalline silicon wafers mao ang 178μm, ug ang kakulang sa panginahanglan sa umaabot magduso kanila nga magpadayon sa manipis.Busa, gitagna nga ang gibag-on mokunhod gamay gikan sa 2022 ngadto sa 2024, ug ang gibag-on magpabilin sa mga 170μm human sa 2025;ang kasagaran nga gibag-on sa p-type nga monocrystalline silicon wafer mao ang mahitungod sa 170μm, ug kini gilauman nga mahulog ngadto sa 155μm ug 140μm sa 2025 ug 2030. Lakip sa n-type nga monocrystalline silicon wafers, ang gibag-on sa silicon wafers nga gigamit alang sa HJT cells mao ang mahitungod sa 150μm, ug ang kasagarang gibag-on sa n-type nga silicon wafers nga gigamit alang sa TOPCon cells mao ang 165μm.135μm.
Dugang pa, ang pagprodyus sa polycrystalline silicon wafers naggamit ug mas daghang silicon kaysa monocrystalline silicon wafers, apan ang mga lakang sa produksiyon medyo simple, nga nagdala sa mga bentaha sa gasto sa polycrystalline silicon wafers.Ang polycrystalline silicon, isip usa ka komon nga hilaw nga materyales alang sa polycrystalline silicon wafers ug monocrystalline silicon wafers, adunay lain-laing konsumo sa produksyon sa duha, nga tungod sa mga kalainan sa kaputli ug produksyon nga mga lakang sa duha.Sa 2021, ang konsumo sa silicon sa polycrystalline ingot kay 1.10 kg/kg.Gilauman nga ang limitado nga pagpamuhunan sa panukiduki ug pag-uswag magdala sa gagmay nga mga pagbag-o sa umaabot.Ang konsumo sa silicon sa pull rod mao ang 1.066 kg / kg, ug adunay usa ka piho nga lawak alang sa pag-optimize.Gilauman nga mahimong 1.05 kg/kg ug 1.043 kg/kg sa 2025 ug 2030, matag usa.Sa us aka kristal nga proseso sa pagbira, ang pagkunhod sa konsumo sa silicon sa pulling rod mahimong makab-ot pinaagi sa pagkunhod sa pagkawala sa paglimpyo ug pagdugmok, higpit nga pagkontrol sa palibot sa produksiyon, pagkunhod sa proporsyon sa mga primer, pagpaayo sa pagkontrol sa katukma, ug pag-optimize sa klasipikasyon ug teknolohiya sa pagproseso sa degraded nga mga materyales sa silicon.Bisan kung ang konsumo sa silicon sa polycrystalline silicon wafers taas, ang gasto sa produksiyon sa polycrystalline silicon wafers medyo taas tungod kay ang polycrystalline silicon ingots gihimo sa mainit nga pagtunaw sa ingot, samtang ang monocrystalline silicon ingots sagad nga gihimo pinaagi sa hinay nga pagtubo sa Czochralski single crystal furnaces, nga naggamit sa medyo taas nga gahum.Ubos.Sa 2021, ang kasagaran nga gasto sa produksiyon sa monocrystalline silicon wafers mga 0.673 yuan/W, ug ang polycrystalline silicon wafers mahimong 0.66 yuan/W.
Samtang ang gibag-on sa silicon wafer mikunhod ug ang diyametro sa diamante nga wire busbar mikunhod, ang output sa silicon rods / ingots nga parehas nga diametro matag kilo modaghan, ug ang gidaghanon sa mga single nga kristal nga silicon rod nga parehas nga gibug-aton mas taas kaysa niana. sa polycrystalline silicon ingots.Sa termino sa gahum, ang gahum nga gigamit sa matag silicon wafer magkalainlain sumala sa tipo ug gidak-on.Sa 2021, ang output sa p-type nga 166mm nga gidak-on nga monocrystalline square bar mga 64 ka piraso matag kilo, ug ang output sa polycrystalline square ingots mga 59 ka piraso.Lakip sa mga p-type nga single crystal silicon wafers, ang output sa 158.75mm nga gidak-on nga monocrystalline square rods mga 70 ka piraso matag kilo, ang output sa p-type nga 182mm nga gidak-on nga single crystal square rods maoy mga 53 ka piraso kada kilo, ug ang output sa p -type nga 210mm nga gidak-on nga single crystal rods kada kilo maoy mga 53 ka piraso.Ang output sa square bar mga 40 ka piraso.Gikan sa 2022 ngadto sa 2030, ang padayon nga pagnipis sa mga silicon wafer sa walay duhaduha mosangpot sa pagtaas sa gidaghanon sa mga silicon rods/ingots sa samang gidaghanon.Ang mas gamay nga diametro sa diamante nga wire busbar ug medium nga gidak-on sa partikulo makatabang usab sa pagpakunhod sa pagkawala sa pagputol, sa ingon nagdugang sa gidaghanon sa mga wafer nga gihimo.gidaghanon.Gibanabana nga sa 2025 ug 2030, ang output sa p-type 166mm size monocrystalline square rods maoy mga 71 ug 78 ka piraso kada kilo, ug ang output sa polycrystalline square ingots maoy mga 62 ug 62 ka piraso, nga tungod sa ubos nga merkado. bahin sa polycrystalline silicon wafers Lisud nga hinungdan sa mahinungdanon nga pag-uswag sa teknolohiya.Adunay mga kalainan sa gahum sa lain-laing mga matang ug gidak-on sa silicon wafers.Sumala sa datos sa pag-anunsyo alang sa kasagaran nga gahum sa 158.75mm nga silicon nga mga wafer mga 5.8W / piraso, ang kasagaran nga gahum sa 166mm nga gidak-on nga silicon nga mga wafer mga 6.25W / piraso, ug ang kasagaran nga gahum sa 182mm nga silicon nga mga wafer mga 6.25W / piraso .Ang kasagaran nga gahum sa gidak-on nga silicon wafer mga 7.49W / piraso, ug ang kasagaran nga gahum sa 210mm nga gidak-on nga silicon wafer mga 10W / piraso.
Sa bag-ohay nga mga tuig, ang mga wafer sa silicon anam-anam nga naugmad sa direksyon sa dako nga gidak-on, ug ang dako nga gidak-on makatabang sa pagdugang sa gahum sa usa ka chip, sa ingon pagtunaw sa dili silicon nga gasto sa mga selula.Bisan pa, ang pag-adjust sa gidak-on sa mga silicon wafer kinahanglan usab nga tagdon ang upstream ug downstream matching ug standardization nga mga isyu, labi na ang load ug taas nga mga isyu karon.Sa pagkakaron, adunay duha ka mga kampo sa merkado mahitungod sa umaabot nga development direksyon sa silicon wafer gidak-on, nga mao ang 182mm gidak-on ug 210mm gidak-on.Ang proposal sa 182mm mao ang nag-una gikan sa panglantaw sa bertikal industriya integration, base sa konsiderasyon sa instalar ug transportasyon sa photovoltaic mga selula, ang gahum ug efficiency sa modules, ug ang synergy tali sa upstream ug downstream;samtang ang 210mm nag-una gikan sa panan-aw sa gasto sa produksiyon ug gasto sa sistema.Ang output sa 210mm silicon wafers misaka sa labaw pa sa 15% sa single-furnace rod drawing process, ang downstream battery production cost mikunhod sa mga 0.02 yuan/W, ug ang kinatibuk-ang gasto sa power station construction mikunhod sa mga 0.1 yuan/ W.Sa sunod nga pipila ka tuig, gilauman nga ang mga silicon wafers nga adunay gidak-on nga ubos sa 166mm anam-anam nga mawagtang;ang upstream ug downstream matching nga mga problema sa 210mm silicon wafers anam-anam nga masulbad nga epektibo, ug ang gasto mahimong mas importanteng butang nga makaapekto sa pamuhunan ug produksyon sa mga negosyo.Busa, ang bahin sa merkado sa 210mm silicon wafers modaghan.Padayon nga pagtaas;Ang 182mm silicon wafer mahimong mainstream nga gidak-on sa merkado tungod sa mga bentaha niini sa vertically integrated production, apan sa pag-uswag sa 210mm silicon wafer application technology, ang 182mm maghatag ug dalan niini.Dugang pa, lisud alang sa mas dako nga gidak-on nga silicon wafers nga kaylap nga magamit sa merkado sa sunod nga mga tuig, tungod kay ang gasto sa pagtrabaho ug ang risgo sa pag-instalar sa dagkong mga silicon nga wafer modako pag-ayo, nga lisud mabawi sa pagtipig sa gasto sa produksiyon ug gasto sa sistema..Sa 2021, ang mga gidak-on sa silicon wafer sa merkado naglakip sa 156.75mm, 157mm, 158.75mm, 166mm, 182mm, 210mm, ug uban pa. mikunhod ngadto sa 5%, nga anam-anam nga pulihan sa umaabot;Ang 166mm mao ang pinakadako nga solusyon sa gidak-on nga mahimong ma-upgrade alang sa kasamtangan nga linya sa produksiyon sa baterya, nga mahimong pinakadako nga gidak-on sa miaging duha ka tuig.Sa termino sa gidak-on sa transisyon, gilauman nga ang bahin sa merkado mahimong ubos pa sa 2% sa 2030;ang hiniusa nga gidak-on sa 182mm ug 210mm mokabat sa 45% sa 2021, ug ang bahin sa merkado paspas nga modaghan sa umaabot.Gilauman nga ang kinatibuk-ang bahin sa merkado sa 2030 molapas sa 98%.
Sa bag-ohay nga mga tuig, ang bahin sa merkado sa monocrystalline silicon nagpadayon sa pagdugang, ug kini nag-okupar sa panguna nga posisyon sa merkado.Gikan sa 2012 hangtod 2021, ang proporsiyon sa monocrystalline silicon misaka gikan sa ubos sa 20% ngadto sa 93.3%, usa ka mahinungdanong pagtaas.Sa 2018, ang mga silicon wafers sa merkado nag-una sa polycrystalline silicon wafers, nga nagkantidad ug labaw sa 50%.Ang nag-unang rason mao nga ang teknikal nga mga bentaha sa monocrystalline silicon wafers dili makatabon sa gasto disadvantages.Sukad sa 2019, tungod kay ang pagkaayo sa pagkakabig sa photoelectric sa mga monocrystalline silicon wafers labi nga milabaw sa polycrystalline silicon wafers, ug ang gasto sa produksiyon sa monocrystalline silicon wafers nagpadayon sa pagkunhod uban ang pag-uswag sa teknolohiya, ang bahin sa merkado sa monocrystalline silicon wafers nagpadayon sa pagdugang, nahimong ang mainstream sa merkado.produkto.Gilauman nga ang proporsiyon sa monocrystalline silicon wafers moabot sa mga 96% sa 2025, ug ang market share sa monocrystalline silicon wafers moabot sa 97.7% sa 2030. (Report source: Future Think Tank)
1.3.Mga Baterya: Ang mga baterya sa PERC nagdominar sa merkado, ug ang pag-uswag sa mga n-type nga baterya nagduso sa kalidad sa produkto
Ang midstream link sa photovoltaic industry chain naglakip sa photovoltaic cells ug photovoltaic cell modules.Ang pagproseso sa mga silicon wafers ngadto sa mga selula mao ang labing importante nga lakang sa pagkaamgo sa photoelectric conversion.Nagkinahanglan kini og mga pito ka mga lakang aron maproseso ang usa ka naandan nga selula gikan sa usa ka silicon nga wafer.Una, ibutang ang silicon wafer ngadto sa hydrofluoric acid aron makagama og pyramid-like suede structure sa ibabaw niini, sa ingon makapakunhod sa reflectivity sa kahayag sa adlaw ug makadugang sa pagsuyop sa kahayag;ang ikaduha mao ang Phosphorus kay mikaylap sa ibabaw sa usa ka kilid sa silicon wafer sa pagporma sa usa ka PN junction, ug ang kalidad niini direkta makaapekto sa efficiency sa cell;ang ikatulo mao ang pagtangtang sa PN junction nga naporma sa kilid sa silicon wafer atol sa diffusion stage aron malikayan ang short circuit sa cell;Ang usa ka layer sa silicon nitride film gitabonan sa kilid diin ang PN junction naporma aron makunhuran ang kahayag nga pagpamalandong ug sa samang higayon makadugang sa kahusayan;ang ikalima mao ang pag-imprenta sa metal nga mga electrodes sa atubangan ug likod sa silicon wafer aron makolekta ang minoriya nga mga carrier nga namugna sa photovoltaics;Ang sirkito nga giimprinta sa yugto sa pag-imprenta gi-sinter ug naporma, ug kini gisagol sa silicon wafer, nga mao, ang selula;Sa katapusan, ang mga selula nga adunay lainlaing mga kahusayan giklasipikar.
Ang mga kristal nga silicon nga mga selyula kasagaran gihimo gamit ang mga silicon wafers isip substrates, ug mahimong bahinon ngadto sa p-type nga mga selula ug n-type nga mga selula sumala sa matang sa silicon wafers.Taliwala kanila, ang n-type nga mga selula adunay mas taas nga pagkakabig sa pagkaayo ug anam-anam nga gipulihan ang p-type nga mga selula sa bag-ohay nga mga tuig.Ang P-type nga silicon wafer gihimo pinaagi sa doping nga silicon nga adunay boron, ug ang n-type nga silicon wafer gihimo sa phosphorus.Busa, ang konsentrasyon sa boron nga elemento sa n-type nga silicon wafer mas ubos, sa ingon makapugong sa pagbugkos sa boron-oxygen complexes, pagpalambo sa minorya nga carrier sa kinabuhi sa silicon nga materyal, ug sa samang higayon, walay photo-induced attenuation sa baterya.Dugang pa, ang n-type nga minoriya nga mga tagdala mga lungag, ang p-type nga minoriya nga mga tagdala mga electron, ug ang trapping nga cross-section sa kadaghanan sa mga atomo sa kahugawan alang sa mga lungag mas gamay kay sa mga electron.Busa, ang kinabuhi sa minorya nga carrier sa n-type nga selula mas taas ug ang photoelectric conversion rate mas taas.Sumala sa datos sa laboratoryo, ang taas nga limitasyon sa pagkaayo sa pagkakabig sa p-type nga mga selula mao ang 24.5%, ug ang pagkakabig sa kahusayan sa n-type nga mga selula hangtod sa 28.7%, mao nga ang n-type nga mga selula nagrepresentar sa direksyon sa pag-uswag sa umaabot nga teknolohiya.Sa 2021, ang n-type nga mga selula (kadaghanan naglakip sa mga selula sa heterojunction ug mga selula sa TOPCon) adunay medyo taas nga gasto, ug ang sukod sa mass production gamay pa.Ang karon nga bahin sa merkado hapit 3%, nga parehas ra sa 2020.
Sa 2021, ang pagkaayo sa pagkakabig sa mga n-type nga mga selula labi nga mapauswag, ug gilauman nga adunay daghang lugar alang sa pag-uswag sa teknolohiya sa sunod nga lima ka tuig.Sa 2021, ang dinagkong produksyon sa p-type nga monocrystalline nga mga selula mogamit sa PERC nga teknolohiya, ug ang average nga conversion efficiency moabot sa 23.1%, usa ka pagtaas sa 0.3 nga porsyento nga mga puntos kumpara sa 2020;ang pagkaayo sa pagkakabig sa polycrystalline black silicon cells gamit ang PERC nga teknolohiya moabot sa 21.0%, itandi sa 2020. Ang tinuig nga pagtaas sa 0.2 nga porsyento nga puntos;conventional polycrystalline itom nga silicon cell efficiency improvement dili lig-on, ang pagkakabig efficiency sa 2021 mahimong mahitungod sa 19.5%, lamang sa 0.1 porsyento nga punto mas taas, ug ang umaabot nga efficiency improvement luna limitado;ang kasagaran nga pagkaayo sa pagkakabig sa ingot monocrystalline PERC nga mga selula mao ang 22.4%, nga 0.7 porsyento nga puntos nga mas ubos kaysa sa monocrystalline PERC nga mga selula;ang kasagaran nga pagkaayo sa pagkakabig sa mga n-type nga mga selula sa TOPCon nakaabot sa 24%, ug ang kasagaran nga pagkaayo sa pagkakabig sa mga selula sa heterojunction nakaabot sa 24.2%, nga pareho nga labi nga milambo kung itandi sa 2020, ug ang average nga kahusayan sa pagkakabig sa mga selula sa IBC nakaabot sa 24.2%.Sa pag-uswag sa teknolohiya sa umaabot, ang mga teknolohiya sa baterya sama sa TBC ug HBC mahimo usab nga magpadayon sa pag-uswag.Sa umaabot, uban ang pagkunhod sa mga gasto sa produksiyon ug ang pag-uswag sa ani, ang n-type nga mga baterya mahimong usa sa mga nag-unang direksyon sa pag-uswag sa teknolohiya sa baterya.
Gikan sa perspektibo sa rota sa teknolohiya sa baterya, ang iterative update sa battery technology nag-una pinaagi sa BSF, PERC, TOPCon base sa PERC improvement, ug HJT, usa ka bag-ong teknolohiya nga nagpukan sa PERC;Ang TOPCon mahimong dugang nga ikombinar sa IBC aron maporma ang TBC, ug ang HJT mahimo usab nga ikombinar sa IBC aron mahimong HBC.Ang P-type nga monocrystalline nga mga selula nag-una sa paggamit sa PERC nga teknolohiya, ang p-type nga polycrystalline nga mga selula naglakip sa polycrystalline black silicon cells ug ingot monocrystalline cells, ang ulahi nagtumong sa pagdugang sa monocrystalline seed crystals base sa conventional polycrystalline ingot nga proseso, direksyon nga solidification Human niana, usa ka square silicon ingot naporma, ug usa ka silicon wafer nga gisagol sa usa ka kristal ug polycrystalline gihimo pinaagi sa usa ka serye sa mga proseso sa pagproseso.Tungod kay kini sa esensya naggamit sa usa ka ruta sa pag-andam sa polycrystalline, gilakip kini sa kategorya nga p-type nga polycrystalline nga mga selula.Ang n-type nga mga selula nag-una naglakip sa TOPCon monocrystalline cells, HJT monocrystalline cells ug IBC monocrystalline cells.Sa 2021, ang bag-ong mga linya sa produksiyon sa masa pagdominar gihapon sa mga linya sa produksiyon sa PERC cell, ug ang bahin sa merkado sa mga selula sa PERC dugang nga motaas sa 91.2%.Tungod kay ang panginahanglan sa produkto alang sa mga proyekto sa gawas ug panimalay naka-concentrate sa mga produkto nga adunay taas nga kahusayan, ang bahin sa merkado sa mga baterya sa BSF mahulog gikan sa 8.8% hangtod sa 5% sa 2021.
1.4.Mga Module: Ang gasto sa mga selyula nag-asoy sa panguna nga bahin, ug ang gahum sa mga module nagdepende sa mga selyula
Ang mga lakang sa produksiyon sa photovoltaic modules nag-una naglakip sa cell interconnection ug lamination, ug ang mga cell nag-asoy sa dakong bahin sa kinatibuk-ang gasto sa module.Tungod kay ang kasamtangan ug boltahe sa usa ka cell gamay kaayo, ang mga selyula kinahanglan nga magkonektar pinaagi sa mga bus bar.Dinhi, sila konektado sa sunod-sunod nga aron sa pagdugang sa boltahe, ug unya konektado sa parallel sa pag-angkon sa hatag-as nga kasamtangan, ug unya ang photovoltaic bildo, EVA o POE, battery Sheet, EVA o POE, likod sheet gitak-opan ug kainit napugos sa usa ka han-ay. , ug sa katapusan gipanalipdan sa aluminum frame ug silicone sealing edge.Gikan sa panan-aw sa komposisyon sa gasto sa produksiyon sa sangkap, ang gasto sa materyal nagkantidad sa 75%, nga nag-okupar sa panguna nga posisyon, gisundan sa gasto sa paghimo, gasto sa pasundayag ug gasto sa pagtrabaho.Ang gasto sa mga materyales gipangulohan sa gasto sa mga selula.Sumala sa mga pahibalo gikan sa daghang mga kompanya, ang mga selyula nag-asoy sa mga 2/3 sa kinatibuk-ang gasto sa photovoltaic modules.
Ang mga modulo sa photovoltaic kasagarang gibahin sumala sa tipo sa selula, gidak-on, ug gidaghanon.Adunay mga kalainan sa gahum sa lainlaing mga module, apan silang tanan naa sa us aka yugto.Ang gahum usa ka yawe nga timailhan sa photovoltaic modules, nga nagrepresentar sa abilidad sa module sa pag-convert sa solar energy ngadto sa elektrisidad.Makita kini gikan sa estadistika sa gahum sa lain-laing mga matang sa photovoltaic modules nga kon ang gidak-on ug gidaghanon sa mga selula sa module managsama, ang gahum sa module mao ang n-type nga single crystal > p-type single crystal > polycrystalline;Kon mas dako ang gidak-on ug gidaghanon, mas dako ang gahum sa module;alang sa TOPCon single crystal modules ug heterojunction modules sa samang espesipikasyon, ang gahum sa naulahi mas dako kay sa nauna.Sumala sa forecast sa CPIA, ang gahum sa module madugangan sa 5-10W matag tuig sa sunod nga mga tuig.Dugang pa, ang module packaging magdala sa usa ka piho nga pagkawala sa kuryente, labi na lakip ang pagkawala sa optical ug pagkawala sa kuryente.Ang una tungod sa transmittance ug optical mismatch sa mga materyales sa pagputos sama sa photovoltaic nga baso ug EVA, ug ang ulahi nag-una nga nagtumong sa paggamit sa mga solar cell sa serye.Ang pagkawala sa sirkito tungod sa pagsukol sa welding ribbon ug sa bus bar mismo, ug ang kasamtangang pagkawala sa mismatch nga gipahinabo sa parallel nga koneksyon sa mga selula, ang kinatibuk-ang pagkawala sa kuryente sa duha nga mga account alang sa mga 8%.
1.5.Ang kapasidad nga na-install sa photovoltaic: Ang mga palisiya sa lainlaing mga nasud klaro nga gimaneho, ug adunay dako nga wanang alang sa bag-ong na-install nga kapasidad sa umaabot
Ang kalibutan sa batakan nakab-ot sa usa ka consensus sa net zero emissions ubos sa environmental nga tumong sa pagpanalipod, ug ang ekonomiya sa superimposed photovoltaic nga mga proyekto sa hinay-hinay nga mitumaw.Ang mga nasud aktibong nagsuhid sa pagpalambo sa renewable energy power generation.Sa bag-ohay nga mga tuig, ang mga nasud sa tibuuk kalibutan naghimo og mga pasalig sa pagpakunhod sa carbon emissions.Kadaghanan sa mga nag-unang greenhouse gas emitters nakaporma ug katugbang nga renewable energy target, ug ang naka-install nga kapasidad sa renewable energy dako kaayo.Base sa 1.5 ℃ temperature control target, ang IRENA nagtagna nga ang global install renewable energy nga kapasidad moabot sa 10.8TW sa 2030. Dugang pa, sumala sa WOODMac data, ang lebel sa gasto sa kuryente (LCOE) sa solar power generation sa China, India, ang Estados Unidos ug uban pang mga nasud ubos na sa pinakabarato nga fossil energy, ug mous-os pa sa umaabot.Ang aktibo nga promosyon sa mga palisiya sa lain-laing mga nasud ug ang ekonomiya sa photovoltaic power generation mitultol ngadto sa usa ka makanunayon nga pagtaas sa cumulative install nga kapasidad sa photovoltaics sa kalibutan ug sa China sa bag-ohay nga mga tuig.Gikan sa 2012 hangtod 2021, ang kumulatibo nga na-install nga kapasidad sa mga photovoltaics sa kalibutan motaas gikan sa 104.3GW hangtod 849.5GW, ug ang kumulatibo nga na-install nga kapasidad sa mga photovoltaics sa China motaas gikan sa 6.7GW hangtod 307GW, usa ka pagtaas sa kapin sa 44 ka beses.Dugang pa, ang bag-ong na-install nga photovoltaic nga kapasidad sa China nag-asoy sa labaw sa 20% sa kinatibuk-ang na-install nga kapasidad sa kalibutan.Sa 2021, ang bag-ong na-install nga photovoltaic nga kapasidad sa China mao ang 53GW, nga nagkantidad sa mga 40% sa bag-ong na-install nga kapasidad sa kalibutan.Kini nag-una tungod sa abunda ug uniporme nga pag-apod-apod sa kahayag nga mga kahinguhaan sa enerhiya sa China, ang maayo nga naugmad nga upstream ug downstream, ug ang lig-on nga suporta sa nasudnong mga palisiya.Atol niini nga panahon, ang China adunay dako nga papel sa photovoltaic power generation, ug ang cumulative install nga kapasidad nagkantidad ug ubos sa 6.5%.misaka ngadto sa 36.14%.
Base sa pagtuki sa ibabaw, ang CPIA naghatag ug forecast alang sa bag-ong nadugangan nga photovoltaic installations gikan sa 2022 ngadto sa 2030 sa tibuok kalibutan.Gibanabana nga ubos sa malaumon ug konserbatibo nga mga kondisyon, ang global nga bag-ong na-install nga kapasidad sa 2030 mahimong 366 ug 315GW matag usa, ug ang bag-ong na-install nga kapasidad sa China mahimong 128. , 105GW.Sa ubos among itagna ang panginahanglan alang sa polysilicon base sa sukod sa bag-ong na-install nga kapasidad matag tuig.
1.6.Demand forecast sa polysilicon alang sa photovoltaic nga mga aplikasyon
Gikan sa 2022 hangtod 2030, base sa tagna sa CPIA alang sa global nga bag-ong pagtaas sa mga pag-install sa PV sa ilawom sa malaumon ug konserbatibo nga mga senaryo, ang panginahanglan alang sa polysilicon alang sa mga aplikasyon sa PV mahimong matagna.Ang mga selyula usa ka yawe nga lakang aron maamgohan ang pagkakabig sa photoelectric, ug ang mga wafer sa silicon mao ang sukaranan nga hilaw nga materyales sa mga selyula ug ang direkta nga ilawom sa polysilicon, busa kini usa ka hinungdanon nga bahin sa pagtagna sa panginahanglan sa polysilicon.Ang gibug-aton nga gidaghanon sa mga piraso matag kilo sa silicon rods ug ingots mahimong kalkulado gikan sa gidaghanon sa mga piraso matag kilo ug ang bahin sa merkado sa silicon rods ug ingots.Dayon, sumala sa gahum ug bahin sa merkado sa mga silicon wafers nga lainlaig gidak-on, ang gibug-aton nga gahum sa mga silicon wafer mahimong makuha, ug dayon ang gikinahanglan nga gidaghanon sa mga silicon wafer mahimong mabanabana sumala sa bag-ong na-install nga photovoltaic nga kapasidad.Sunod, ang gibug-aton sa gikinahanglan nga silicon rods ug ingots mahimong makuha sumala sa quantitative nga relasyon tali sa gidaghanon sa silicon wafers ug sa gibug-aton nga gidaghanon sa silicon rods ug silicon ingots matag kilo.Dugang pa nga inubanan sa gibug-aton nga konsumo sa silicon sa mga silicon rods / silicon ingots, ang panginahanglan alang sa polysilicon alang sa bag-ong na-install nga kapasidad sa photovoltaic mahimong makuha sa katapusan.Sumala sa mga resulta sa forecast, ang global nga panginahanglan alang sa polysilicon alang sa bag-ong photovoltaic installations sa miaging lima ka tuig magpadayon sa pagtaas, peaking sa 2027, ug unya pagkunhod gamay sa sunod nga tulo ka tuig.Gibanabana nga ubos sa malaumon ug konserbatibo nga mga kondisyon sa 2025, ang global nga tinuig nga panginahanglan alang sa polysilicon alang sa photovoltaic installations mahimong 1,108,900 tonelada ug 907,800 tonelada matag usa, ug ang global nga panginahanglan alang sa polysilicon alang sa photovoltaic nga mga aplikasyon sa 2030 mahimong ubos sa 1,042,100 ngadto sa konserbatibo nga mga kondisyon. ., 896,900 ka tonelada.Sumala sa Chinaproporsyon sa global nga photovoltaic nga na-install nga kapasidad,Ang panginahanglan sa China alang sa polysilicon alang sa paggamit sa photovoltaic sa 2025gilauman nga mahimong 369,600 tonelada ug 302,600 tonelada matag usa ubos sa malaumon ug konserbatibo nga mga kahimtang, ug 739,300 tonelada ug 605,200 tonelada sa gawas sa nasud.
2, Semiconductor end demand: Ang sukdanan mas gamay kay sa panginahanglan sa photovoltaic field, ug ang umaabot nga pagtubo mahimong mapaabut
Gawas pa sa paghimo sa mga photovoltaic nga mga selula, ang polysilicon mahimo usab nga gamiton isip usa ka hilaw nga materyales alang sa paghimo sa mga chips ug gigamit sa semiconductor field, nga mahimong bahinon ngadto sa paghimo sa sakyanan, industriyal nga elektroniko, elektronikong komunikasyon, mga gamit sa balay ug uban pang mga natad.Ang proseso gikan sa polysilicon hangtod sa chip kasagarang gibahin sa tulo ka mga lakang.Una, ang polysilicon madala ngadto sa monocrystalline silicon ingots, ug dayon putlon ngadto sa nipis nga silicon wafers.Ang mga silicone wafers gihimo pinaagi sa sunod-sunod nga paggaling, chamfering ug polishing operations., nga mao ang sukaranan nga hilaw nga materyal sa pabrika sa semiconductor.Sa katapusan, ang silicon wafer giputol ug gikulit ang laser sa lainlaing mga istruktura sa sirkito aron makahimo mga produkto sa chip nga adunay piho nga mga kinaiya.Ang kasagarang mga wafer sa silicon nag-una naglakip sa pinasinaw nga mga wafer, epitaxial wafer ug SOI nga mga wafer.Ang gipasinaw nga wafer usa ka materyal nga produksiyon sa chip nga adunay taas nga flatness nga nakuha pinaagi sa pagpasinaw sa silicon wafer aron makuha ang nadaot nga layer sa ibabaw, nga mahimong direktang magamit sa paghimo sa mga chips, epitaxial wafers ug SOI silicon wafers.Ang epitaxial wafers makuha pinaagi sa epitaxial nga pagtubo sa gipasinaw nga wafers, samtang ang SOI silicon wafers gihimo pinaagi sa bonding o ion implantation sa gipasinaw nga wafer substrates, ug ang proseso sa pagpangandam medyo lisud.
Pinaagi sa panginahanglan alang sa polysilicon sa bahin sa semiconductor sa 2021, inubanan sa forecast sa ahensya sa rate sa pagtubo sa industriya sa semiconductor sa sunod nga pipila ka tuig, ang panginahanglan alang sa polysilicon sa natad sa semiconductor gikan sa 2022 hangtod 2025 mahimong halos gibanabana.Sa 2021, ang global nga electronic-grade polysilicon nga produksiyon mokabat sa mga 6% sa kinatibuk-ang produksiyon sa polysilicon, ug ang solar-grade polysilicon ug granular silicon mokabat sa mga 94%.Kadaghanan sa electronic-grade polysilicon gigamit sa semiconductor field, ug ang uban nga polysilicon batakan gigamit sa photovoltaic industriya..Busa, mahimong isipon nga ang gidaghanon sa polysilicon nga gigamit sa industriya sa semiconductor sa 2021 maoy mga 37,000 ka tonelada.Dugang pa, sumala sa umaabot nga compound growth rate sa industriya sa semiconductor nga gitagna sa FortuneBusiness Insights, ang panginahanglan alang sa polysilicon alang sa paggamit sa semiconductor mosaka sa tinuig nga rate nga 8.6% gikan sa 2022 ngadto sa 2025. Gibanabana nga sa 2025, ang panginahanglan alang sa polysilicon sa semiconductor field mahimong sa palibot 51,500 tonelada.(Gigikanan sa taho: Future Think Tank)
3, Pag-import ug pag-eksport sa Polysilicon: ang mga pag-import labaw pa sa mga eksport, diin ang Germany ug Malaysia nag-asoy sa mas taas nga proporsiyon
Sa 2021, mga 18.63% sa panginahanglan sa polysilicon sa China maggikan sa mga pag-import, ug ang sukod sa mga pag-import labaw pa sa sukod sa mga eksport.Gikan sa 2017 hangtod 2021, ang pag-import ug pag-export nga pattern sa polysilicon gipatigbabaw sa mga pag-import, nga mahimo’g tungod sa kusog nga downstream nga panginahanglan alang sa industriya sa photovoltaic nga paspas nga naugmad sa bag-ohay nga mga tuig, ug ang panginahanglan niini alang sa polysilicon nagkantidad labaw sa 94% sa kinatibuk-ang panginahanglan;Dugang pa, ang kompanya wala pa maka-master sa teknolohiya sa produksiyon sa high-purity electronic-grade polysilicon, mao nga ang pipila ka polysilicon nga gikinahanglan sa integrated circuit industry kinahanglan pa nga mosalig sa mga import.Sumala sa datos sa Silicon Industry Branch, ang gidaghanon sa pag-import nagpadayon sa pagkunhod sa 2019 ug 2020. Ang sukaranan nga hinungdan sa pagkunhod sa mga import sa polysilicon sa 2019 mao ang dako nga pagtaas sa kapasidad sa produksyon, nga misaka gikan sa 388,000 ka tonelada sa 2018 ngadto sa 452,000 ka tonelada sa 2019. Sa samang higayon, OCI, REC, HANWHA Ang ubang mga kompanya sa gawas sa nasud, sama sa pipila ka mga kompanya sa gawas sa nasud, mi-withdraw gikan sa industriya sa polysilicon tungod sa mga kapildihan, mao nga ang import nga pagsalig sa polysilicon mas ubos;bisan kung ang kapasidad sa produksiyon wala mouswag sa 2020, ang epekto sa epidemya misangpot sa mga paglangan sa pagtukod sa mga proyekto sa photovoltaic, ug ang gidaghanon sa mga order sa polysilicon mikunhod sa samang panahon.Sa 2021, ang merkado sa photovoltaic sa China paspas nga molambo, ug ang dayag nga pagkonsumo sa polysilicon moabot sa 613,000 tonelada, nga nagduso sa gidaghanon sa pag-import aron mabag-o.Sa miaging lima ka tuig, ang net polysilicon import volume sa China naa sa taliwala sa 90,000 ug 140,000 tonelada, diin mga 103,800 tonelada sa 2021. Gilauman nga ang net polysilicon import volume sa China magpabilin sa palibot sa 100,000 tonelada matag tuig gikan sa 2022 hangtod 2025.
Ang polysilicon import sa China nag-una gikan sa Germany, Malaysia, Japan ug Taiwan, China, ug ang kinatibuk-ang import gikan niining upat ka mga nasud mokabat sa 90.51% sa 2021. Mga 45% sa polysilicon import sa China gikan sa Germany, 26% gikan sa Malaysia, 13.5% gikan sa Japan, ug 6% gikan sa Taiwan.Gipanag-iya sa Germany ang higanteng polysilicon nga WACKER sa kalibutan, nga mao ang pinakadako nga tinubdan sa polysilicon sa gawas sa nasud, nga nagkantidad sa 12.7% sa kinatibuk-ang kapasidad sa produksyon sa kalibutan sa 2021;Ang Malaysia adunay daghang mga linya sa produksiyon sa polysilicon gikan sa OCI Company sa South Korea, nga naggikan sa orihinal nga linya sa produksiyon sa Malaysia sa TOKUYAMA, usa ka kompanya sa Japan nga nakuha sa OCI.Adunay mga pabrika ug pipila ka mga pabrika nga gibalhin sa OCI gikan sa South Korea ngadto sa Malaysia.Ang rason sa relokasyon mao nga ang Malaysia naghatag ug libreng luna sa pabrika ug ang gasto sa kuryente mas ubos og un-tersiya kay sa South Korea;Ang Japan ug Taiwan, China adunay TOKUYAMA, GET ug uban pang mga kompanya, nga nag-okupar sa daghang bahin sa produksiyon sa polysilicon.usa ka dapit.Sa 2021, ang polysilicon nga output mahimong 492,000 tonelada, diin ang bag-ong na-install nga photovoltaic nga kapasidad ug panginahanglan sa produksiyon sa chip mahimong 206,400 tonelada ug 1,500 tonelada matag usa, ug ang nahabilin nga 284,100 tonelada ang panguna nga gigamit alang sa pagproseso sa ubos ug gi-eksport sa gawas sa nasud.Sa downstream links sa polysilicon, silicon wafers, mga selula ug modules ang nag-una eksport, sa taliwala sa diin ang export sa modules ilabi na nga prominente.Niadtong 2021, 4.64 ka bilyong silicon wafer ug 3.2 ka bilyong photovoltaic cells ang na-gi-eksportgikan sa China, nga adunay kinatibuk-ang eksport nga 22.6GW ug 10.3GW matag usa, ug ang eksport sa photovoltaic modules mao ang 98.5GW, nga gamay ra ang mga import.Sa mga termino sa komposisyon sa kantidad sa pag-eksport, ang mga eksport sa module sa 2021 moabot sa US $ 24.61 bilyon, nga nagkantidad sa 86%, gisundan sa mga silicon wafers ug mga baterya.Sa 2021, ang global nga output sa silicon wafers, photovoltaic cells, ug photovoltaic modules moabot sa 97.3%, 85.1%, ug 82.3%, matag usa.Gilauman nga ang global nga industriya sa photovoltaic magpadayon sa pagkonsentrar sa China sulod sa sunod nga tulo ka tuig, ug ang output ug eksport nga gidaghanon sa matag link mahimong igo.Busa, gibanabana nga gikan sa 2022 hangtod 2025, ang kantidad sa polysilicon nga gigamit sa pagproseso ug paghimo sa mga produkto sa ubos ug gi-eksport sa gawas sa nasud anam-anam nga motaas.Gibanabana kini pinaagi sa pagkunhod sa produksiyon sa gawas sa nasud gikan sa panginahanglan sa polysilicon sa gawas sa nasud.Sa 2025, ang polysilicon nga gihimo pinaagi sa pagproseso ngadto sa mga produkto sa ubos gibanabana nga ma-export ang 583,000 Tons sa langyaw nga mga nasud gikan sa China.
4, Summary ug Outlook
Ang global nga panginahanglan sa polysilicon nag-una nga gikonsentrar sa photovoltaic field, ug ang panginahanglan sa semiconductor field dili usa ka order sa magnitude.Ang panginahanglan alang sa polysilicon gimaneho sa photovoltaic installations, ug anam-anam nga gipasa ngadto sa polysilicon pinaagi sa link sa photovoltaic modules-cell-wafer, nga nagmugna sa panginahanglan alang niini.Sa umaabot, sa pagpalapad sa global nga photovoltaic nga na-install nga kapasidad, ang panginahanglan alang sa polysilicon sa kasagaran malaumon.Sa kamalaumon, ang China ug sa gawas sa nasud nga bag-ong nadugangan nga mga pag-install sa PV nga hinungdan sa panginahanglan alang sa polysilicon sa 2025 mahimong 36.96GW ug 73.93GW matag usa, ug ang panginahanglan ubos sa konserbatibo nga mga kahimtang moabot usab sa 30.24GW ug 60.49GW matag usa.Sa 2021, ang global nga polysilicon nga suplay ug panginahanglan mahimong hugot, nga moresulta sa taas nga global nga polysilicon nga mga presyo.Kini nga kahimtang mahimong magpadayon hangtod sa 2022, ug anam-anam nga mobalik sa yugto sa loose supply pagkahuman sa 2023. Sa ikaduha nga katunga sa 2020, ang epekto sa epidemya nagsugod sa paghuyang, ug ang pagpalapad sa produksiyon sa ubos nagduso sa panginahanglan alang sa polysilicon, ug ang pipila nga nanguna nga mga kompanya nagplano. sa pagpalapad sa produksyon.Bisan pa, ang siklo sa pagpalapad nga kapin sa usa ug tunga ka tuig miresulta sa pagpagawas sa kapasidad sa produksiyon sa katapusan sa 2021 ug 2022, nga miresulta sa 4.24% nga pagtaas sa 2021. Adunay usa ka gintang sa suplay nga 10,000 tonelada, busa ang mga presyo misaka. mahait.Gitagna nga sa 2022, ubos sa malaumon ug konserbatibo nga mga kondisyon sa photovoltaic nga na-install nga kapasidad, ang suplay ug panginahanglan nga gintang mahimong -156,500 tonelada ug 2,400 tonelada matag usa, ug ang kinatibuk-ang suplay anaa pa sa usa ka estado nga medyo mubo nga suplay.Sa 2023 ug sa unahan, ang mga bag-ong proyekto nga nagsugod sa pagtukod sa katapusan sa 2021 ug sayo sa 2022 magsugod sa produksiyon ug makab-ot ang usa ka ramp-up sa kapasidad sa produksiyon.Ang suplay ug panginahanglan anam-anam nga moluag, ug ang mga presyo mahimong ubos sa presyur.Sa pag-follow-up, ang pagtagad kinahanglan ibayad sa epekto sa gubat sa Russia-Ukrainian sa global energy pattern, nga mahimong mag-usab sa global nga plano alang sa bag-ong na-install nga photovoltaic nga kapasidad, nga makaapekto sa panginahanglan alang sa polysilicon.
(Kini nga artikulo alang lamang sa pakisayran sa mga kustomer sa UrbanMines ug wala magrepresentar sa bisan unsang tambag sa pagpamuhunan)